SEMIX303GB12E4S transistor IGBT de puissance double pour commutation

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Description de SEMIX303GB12E4S transistor IGBT de puissance double pour commutation

Le Cœur Logique de la Commutation de Forte Puissance

En tant que composant de type SEMIX303GB12E4S, ce module de commutation double encapsule l'excellence de l'électronique de puissance moderne. Sa fonction principale consiste à commuter des courants élevés à des fréquences soutenues sans altération du signal d'origine. Les utilisateurs bénéficient d'un contrôle parfait des phases électriques, élément essentiel pour la gestion fine des moteurs électriques et des transformateurs de moyenne tension.

Spécifications et Architecture du Transistor

Paramètre ÉlectroniqueValeur Standard
Tension Collecteur-Émetteur1200 V
Courant de Collecteur à 80°C300 A
Résistance de Grille InterneOptimisée à basse impédance

Une Intégration Transparente pour Vos Équipements

L'entraxe des bornes de raccordement et la disposition des broches de commande permettent une maintenance rapide et sûre. Ce transistor de puissance s'adapte sans effort aux architectures de bus de commande existantes, garantissant une mise à niveau fluide des armoires électriques de distribution et des chargeurs de forte puissance.

Détails

OPC s8_EB0H6RRJNMJ
Référence produit s8_EB0H6RRJNMJ
Marque
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Avis le mieux noté
5/5
J. Mclachlan
Publié le 13/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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